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APT35GP120BG中文资料IGBT w/o anti-parallel diode数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
APT35GP120BG |
| 参数属性 | APT35GP120BG 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 96A 543W TO247 |
| 功能描述 | IGBT w/o anti-parallel diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-14 19:09:00 |
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APT35GP120BG规格书详情
简介
APT35GP120BG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT35GP120BG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
APT35GP120BG
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
POWER MOS 7®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.9V @ 15V，35A
- 开关能量：
750µJ（开），680µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/94ns
- 测试条件：
600V，35A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 96A 543W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSE |
2023+ |
TO-247 |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-247 [B] |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Microsemi |
1202+ |
TO-247 |
200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MICROSE |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 [B] |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
APT |
24+ |
TO-247 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
