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APT35GP120B2D2G

APTTO-247

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APT35GP120B2D2G

Microchip Technology / AtmelTO-247-3

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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APT35GP120B2D2G

Microchip Technology / AtmelTO-247-3

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深圳市威雅利发展有限公司

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APT35GP120BG

MicrosemiTO-247

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江苏芯钻时代电子科技有限公司

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APT35GP120JDQ2

MICROSEMIMODULE

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APT35GP120BG其他IC

MICROSEMI/美高森美TO-247

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APT35GP120BG

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APT35GP120BG

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APT35GP120JDQ2

MicrochNA

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APT35GP120JDX

APTMODULE

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APT35GP120JDX

APTMODULE

8513

专业模块

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APT35GP120BG

APTTO-247

30000

25+

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深圳市胜彬电子有限公司

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APT35GP120B

APTTO247

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APT35GP120B2D2

APTTO247

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深圳市一线半导体有限公司

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APT35GP120B

APT

8866

24+

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APT35GP120BG

APTTO-247

12245

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深圳市亿联芯电子科技有限公司

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APT35GP120BG

MICROSETO-247

8635

2023+
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瀚佳科技(深圳)有限公司

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APT35GP120BG

APTTO-247

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APT35GP120BG

MICROSEMI-美高森美TO-247-3

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APT35GP120B2DQ2

MICROSEMI-美高森美T-MAXB2

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APT35GP120J价格

APT35GP120J价格：￥169.4390品牌：Microsemi

生产厂家品牌为Microsemi的APT35GP120J多少钱，想知道APT35GP120J价格是多少？参考价：￥169.4390。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，APT35GP120J批发价格及采购报价，APT35GP120J销售排行榜及行情走势，APT35GP120J报价。

APT35GP120B2DQ2中文资料Alldatasheet PDF

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APT35GP120B功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):46Amps|Ultrafast IGBT Family

APT35GP120B2D2功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):46Amps|Ultrafast IGBT Family

APT35GP120B2DQ2制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT

APT35GP120B2DQ2G功能描述:IGBT 1200V 96A 543W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

APT35GP120BG功能描述:IGBT 1200V 96A 543W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件

APT35GP120J功能描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B

APT35GP120JD2功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.9V ID(cont):29Amps|Ultrafast IGBT Family

APT35GP120JDQ2功能描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B

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