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APT33GF120LRDQ2G中文资料IGBT w/ anti-parallel diode数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
APT33GF120LRDQ2G |
| 参数属性 | APT33GF120LRDQ2G 封装/外壳为TO-264-3，TO-264AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| 功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
| 封装外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-14 21:50:00 |
| 人工找货 | APT33GF120LRDQ2G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
APT33GF120LRDQ2G规格书详情
简介
APT33GF120LRDQ2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT33GF120LRDQ2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
APT33GF120LRDQ2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，25A
- 开关能量：
1.315mJ（开），1.515mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/185ns
- 测试条件：
800V，25A，4.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
- 供应商器件封装：
TO-264 [L]
- 描述：
IGBT 1200V 64A 357W TO264
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
2450+ |
TO264 |
9850 |
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询价 | ||
APT |
25+ |
TO247 |
1250 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | ||
Microsemi |
25+23+ |
TO264 |
22369 |
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APT |
22+ |
TO-247B |
8200 |
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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23+ |
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询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-264 [L] |
38550 |
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IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-3PL |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
TO264 [L] |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
