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APT30M70SVR	文件：63.4 Kbytes Page：4 Pages	100 Avalanche Tested 文件：63.4 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT30M70SVRG	文件：63.4 Kbytes Page：4 Pages	100 Avalanche Tested 文件：63.4 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT30M70SVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK	Microchip 微芯科技	Microchip
APT30M70BVFR	文件：420.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：420.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT30M70BVFR	文件：66.74 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：66.74 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT30M70BVFRG	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes 页数：44 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

详细参数

型号：
APT30M70SVR
功能描述：
MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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