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APT30M70BVRG	文件：337.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.07Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：337.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT30M70BVRG	文件：63.4 Kbytes Page：4 Pages	100 Avalanche Tested 文件：63.4 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT30M70BVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
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详细参数

型号：
APT30M70BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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