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APT25GT120BRDQ2G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
APT25GT120BRDQ2G |
| 参数属性 | APT25GT120BRDQ2G 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 54A 347W TO247 |
| 功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 15:13:00 |
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APT25GT120BRDQ2G规格书详情
描述 Description
ROHS
简介
APT25GT120BRDQ2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT25GT120BRDQ2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
APT25GT120BRDQ2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Thunderbolt IGBT®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.7V @ 15V，25A
- 开关能量：
930µJ（开），720µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/150ns
- 测试条件：
800V，25A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 54A 347W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSE |
18+ |
TO-247 |
85600 |
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询价 | ||
APT |
22+ |
TO-247 |
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询价 | ||
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22+ |
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8200 |
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23+ |
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23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
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询价 |
