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FCA20N60	文件：347.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCA20N60F	文件：930.05 Kbytes Page：8 Pages	600VN-CHANNELFRFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60F	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FCA20N60FS	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60S	文件：970.18 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET™is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60S	文件：682.46 Kbytes Page：15 Pages	PowerFactorCorrectionConverterDesign	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60S	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWMCombinationController Introduction Thisapplicationnotedescribesstep-by-stepdesignconsiderationsforapowersupplyusingtheFAN480Xcontroller.TheFAN480XcombinesaPFCcontrollerandaPWMcontroller.ThePFCcontrolleremploysaveragecurrentmodecontrolforContinuousConductionMode(CCM)boostconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA20N60S	文件：347.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCB20N60	文件：614.5 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFETTMis,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,pro	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
APT20N60SCFG
制造商：
ADPOW
制造商全称：
Advanced Power Technology
功能描述：
Super Junction FREDFET

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