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APT17N80BC3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 800V 17A TO-247	Microchip 微芯科技	Microchip
APT17N80BC3	文件：338.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：338.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT17N80BC3	文件：176.95 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET Super Junction MOSFET • Ultra low RDS(ON) • Low Miller Capacitance • Ultra Low Gate Charge, Qg • Avalanche Energy Rated • TO-247 or Surface Mount D3PAK Package 文件：176.95 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT200GN60JDQ4	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT227	APT 晶科电子上传：深圳市斌腾达科技有限公司	APT
APT200GN60JDQ4	文件：0 bytes Page：0 Pages	Module	Microchip Technology 上传：深圳市华睿芯科技有限公司	Microchip Technology

详细参数

型号：
APT17N80BC3G
功能描述：
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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