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APT17	文件：642.21 Kbytes Page：10 Pages	HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR GeneralDescription TheAPT17ishighvoltage,smallsignalNPNtransistor. TheAPT17isavailableinSOT-23andTO-92packages. Features •HighCollector-EmitterVoltage:480V Applications •HighVoltageandLowStandbyPowerCircuitfor BCDSolution	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
APT17	文件：706.7 Kbytes Page：10 Pages	HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
APT17F100B	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel FREDFET 1000V, 17A, 0.80廓 Max, trr ??45ns N-ChannelFREDFET PowerMOS8™isahighspeed,highvoltageN-channelswitch-modepowerMOSFET.ThisFREDFETversionhasadrain-source(body)diodethathasbeenoptimizedforhighreliabilityinZVSphaseshiftedbridgeandothercircuitsthroughreducedtrr,softrecovery,andhighrecoveryd	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17F100B	文件：372.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.78Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT17F100S	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel FREDFET 1000V, 17A, 0.80廓 Max, trr ??45ns N-ChannelFREDFET PowerMOS8™isahighspeed,highvoltageN-channelswitch-modepowerMOSFET.ThisFREDFETversionhasadrain-source(body)diodethathasbeenoptimizedforhighreliabilityinZVSphaseshiftedbridgeandothercircuitsthroughreducedtrr,softrecovery,andhighrecoveryd	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17F120J	文件：122.17 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel FREDFET N-ChannelFREDFET POWERMOS8®isahighspeed,highvoltageN-channelswitch-modepowerMOSFET.ThisFREDFETversionhasadrain-source(body)diodethathasbeenoptimizedforhighreliabilityinZVSphaseshiftedbridgeandothercircuitsthroughreducedtrr,softrecovery,andhighrecoverydv	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17F80B	文件：419.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=18A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT17M120JCU2	文件：115.47 Kbytes Page：5 Pages	ISOTOP짰 Boost chopper MOSFET SiC chopper diode Power module Features •PowerMOS8™MOSFET -LowRDSon -LowinputandMillercapacitance -Lowgatecharge -Avalancheenergyrated •SiCSchottkyDiode -Zeroreverserecovery -Zeroforwardrecovery -TemperatureIndependentswitchingbehavior -Positivetemperaturecoeffi	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17M120JCU3	文件：115.84 Kbytes Page：5 Pages	ISOTOP짰 Buck chopper MOSFET SiC chopper diode Power module Features •PowerMOS8™MOSFET -LowRDSon -LowinputandMillercapacitance -Lowgatecharge -Avalancheenergyrated •SiCSchottkyDiode -Zeroreverserecovery -Zeroforwardrecovery -TemperatureIndependentswitchingbehavior -Positivetemperaturecoeffi	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17N80BC3	文件：176.95 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET SuperJunctionMOSFET •UltralowRDS(ON) •LowMillerCapacitance •UltraLowGateCharge,Qg •AvalancheEnergyRated •TO-247orSurfaceMountD3PAKPackage	ADPOW Advanced Power Technology
APT17N80BC3	文件：338.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT17N80SC3	文件：176.95 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET SuperJunctionMOSFET •UltralowRDS(ON) •LowMillerCapacitance •UltraLowGateCharge,Qg •AvalancheEnergyRated •TO-247orSurfaceMountD3PAKPackage	ADPOW Advanced Power Technology
APT17_11	文件：706.7 Kbytes Page：10 Pages	HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
APT17_15	文件：315.83 Kbytes Page：5 Pages	480V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
APT17F100B	文件：133.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel FREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17F100B_09	文件：133.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel FREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17F100S	文件：133.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel FREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17F80B	文件：437.92 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel FREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17F80S	文件：437.92 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel FREDFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT17NTR-G1	文件：706.7 Kbytes Page：10 Pages	HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司

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详细参数

型号：
APT17
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APT17供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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