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APT15GN120K	文件：192.83 Kbytes Page：6 Pages	ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature 文件：192.83 Kbytes 页数：6 Pages	ADPOW	ADPOW
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APT15GN120K	文件：300 bytes Page：1 Pages	ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE	APT 晶科电子	APT
APT15GN120KG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 1200V 45A 195W TO220	Microchip 微芯科技	Microchip
APT15GN120KG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 45A 195W TO220	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
45A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
45A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.1V @ 15V，15A
功率 - 最大值：
195W
开关能量：
410µJ（开），950µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
90nC
25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/150ns
测试条件：
800V，15A，4.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220 [K]

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更多APT15GN120K供应商更新时间2026-4-18 16:10:00

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