N-Channel MOSFET

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N-Channel MOSFET 1200V, 14A, 1.10廓 Max

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N-Channel MOSFET

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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ISC

无锡固电