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APT13GP120K	文件：156.14 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOS 7 IGBT 文件：156.14 Kbytes 页数：6 Pages	ADPOW	ADPOW
APT13GP120K	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	APT 晶科电子	APT
APT13GP120KG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 1200V 41A 250W TO220	Microchip 微芯科技	Microchip
APT13GP120KG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 41A 250W TO220	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
41A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
50A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
3.9V @ 15V，13A
功率 - 最大值：
250W
开关能量：
114µJ（开），165µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
55nC
25°C 时 Td（开/关）值：
9ns/28ns
测试条件：
600V，13A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220 [K]

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