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APT13005DI中文资料NPN TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

APT13005DI

参数属性

APT13005DI 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 4A TO251

功能描述

NPN TRANSISTOR
TRANS NPN 450V 4A TO251

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-2 9:29:00

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APT13005DI规格书详情

应用 Application

Low power AC-DC SMPS for:

\t
\t\tBattery Chargers for Mobile Phone / Tablets / Smartphones
\t
\t\tPower Supply for DVD / STB
\t
\t\tLED lighting


\t\t\t\t\t\t

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\t\t\t\t
\t\t\t\tProduct Specifications

简介

APT13005DI属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的APT13005DI晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :APT13005DI

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AutomotiveCompliantPPAP

    :No

  • ProductType

    :NPN

  • IC

    :4A

  • ICM

    :8A

  • PD

    :25W

  • hFE

    :15Min

  • hFE(@IC)

    :1A

  • hFE(Min2)

    :8

  • hFE(@IC2)

    :2A

  • VCE(SAT)Max

    :300mV

  • VCE(SAT)(@IC/IB)

    :1/200A/mA

  • VCE(SAT)(Max.2)

    :600mV

  • VCE(SAT)(@IC/IB2)

    :2/500A/mA

  • fT

    :4

  • RCE(SAT)

    :N/AmΩ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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