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APT12GT60BRG中文资料IGBT w/o anti-parallel diode数据手册Microchip规格书

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厂商型号

APT12GT60BRG

功能描述

IGBT w/o anti-parallel diode

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 9:29:00

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技术参数

  • 型号:

    APT12GT60BRG

  • 功能描述:

    IGBT 600V 25A 108W TO247

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列:

    Thunderbolt IGBT®

  • 标准包装:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 类型:

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开):

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商设备封装:

    PLUS247?-3

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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