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APT11GP60BDQB	文件：212.9 Kbytes Page：7 Pages	POWER MOS 7 IGBT 文件：212.9 Kbytes 页数：7 Pages	ADPOW	ADPOW
APT11GP60BDQB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	APT 晶科	APT
APT11GP60BDQBG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 600V 41A 187W TO247	Microchip 微芯科技	Microchip
APT11GP60BDQBG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 41A 187W TO247	Microsemi 美高森美	Microsemi

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
41A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
45A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.7V @ 15V，11A
功率 - 最大值：
187W
开关能量：
46µJ (开)
输入类型：
标准
栅极电荷：
40nC
25°C 时 Td（开/关）值：
7ns/29ns
测试条件：
400V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3

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更多APT11GP60BDQB供应商更新时间2025-10-5 16:30:00

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