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BFP420	文件：567.85 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：49.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor ProductBrief TheBFP420FisalownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.5VandcurrentsuptoIC=60mA.Thedeviceisespeciallysuitedformobileapplicationsinwhichlowpowerconsumptionisakeyrequirement.Thetypicaltransition	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：63.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：1.54555 Mbytes Page：30 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP420W	文件：245.03 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFV420	文件：41.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:BFV421. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Highvoltage(max.100V). APPLICATIONS •Primarilyintendedforvideoapplications(monitors).	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFY420	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •ForHighGainLowNoiseAmplifiers •ForOscillatorsupto10GHz •NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz •Hermeticallysealedmicrowavepackage •TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY420	文件：145.91 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY420ES	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •ForHighGainLowNoiseAmplifiers •ForOscillatorsupto10GHz •NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz •Hermeticallysealedmicrowavepackage •TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY420H	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •ForHighGainLowNoiseAmplifiers •ForOscillatorsupto10GHz •NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz •Hermeticallysealedmicrowavepackage •TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
APR-B420L
制造商：
LEM
制造商全称：
LEM
功能描述：
AC Current transducer

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	APR-B420L	LEM	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
上海金庆电子技术有限公司	APRBENCH	Akro-Mils	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	APRBENCH	Akro-Mils	2022+		1	全新原装货期两周	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	APR-CWF104F3950FA90A	APR	25+	NV	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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深圳市英创达电子半导体有限公司	APR-CWFB449	APR	2025+	DIP	32000	原装正品现货供应商原厂渠道物美价优	询价
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更多APR-B420L供应商更新时间2025-7-12 9:03:00

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