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APM4412K	文件：189.38 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 30V/12A, RDS(ON) = 9mW (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) =12mW (typ.) @ VGS = 4.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • SOP-8 Package • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery P 文件：189.38 Kbytes 页数：10 Pages	ANPEC 茂达电子	ANPEC
APM4412KC-TR	文件：189.38 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 30V/12A, RDS(ON) = 9mW (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) =12mW (typ.) @ VGS = 4.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • SOP-8 Package • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery P 文件：189.38 Kbytes 页数：10 Pages	ANPEC 茂达电子	ANPEC
APM4412KC-TRL	文件：189.38 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 30V/12A, RDS(ON) = 9mW (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) =12mW (typ.) @ VGS = 4.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • SOP-8 Package • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery P 文件：189.38 Kbytes 页数：10 Pages	ANPEC 茂达电子	ANPEC
APM4412KC-TU	文件：189.38 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 30V/12A, RDS(ON) = 9mW (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) =12mW (typ.) @ VGS = 4.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • SOP-8 Package • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery P 文件：189.38 Kbytes 页数：10 Pages	ANPEC 茂达电子	ANPEC
APM4412KC-TUL	文件：189.38 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 30V/12A, RDS(ON) = 9mW (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) =12mW (typ.) @ VGS = 4.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • SOP-8 Package • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery P 文件：189.38 Kbytes 页数：10 Pages	ANPEC 茂达电子	ANPEC
APM4412K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	Sinopower 大中集成电路	Sinopower

技术参数

Cfg.：
N
BV(V)：
30
VGS (±V)：
20
ID (A)TA=25：
12
VTH(V)typ.：
1.7
Rg (Ω)typ.：
2.3
RON(mΩ max)10V max.：
12
4.5V max.：
16
Ciss (pF)typ.：
1470
Coss (pF)typ.：
233
Crss (pF)typ.：
157

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