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N-Channel Enhancement Mode MOSFET • 20V/6A ,RDS(ON)=28mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.) @ VGS=2.5V •Super High Dense Cell Design •Reliable and Rugged •Lead Free Available (RoHS Compliant) 文件：131.67 Kbytes 页数：11 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET • 20V/6A ,RDS(ON)=28mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.) @ VGS=2.5V •Super High Dense Cell Design •Reliable and Rugged •Lead Free Available (RoHS Compliant) 文件：131.67 Kbytes 页数：11 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET • 20V/6A ,RDS(ON)=28mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.) @ VGS=2.5V •Super High Dense Cell Design •Reliable and Rugged •Lead Free Available (RoHS Compliant) 文件：131.67 Kbytes 页数：11 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 20V/5A,RDS(ON)= 35mW (typ.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 45mW (typ.) @ VGS= 4.5V RDS(ON)= 1 10mW (typ.) @ VGS= 2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Switching Regu 文件：206.82 Kbytes 页数：11 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 20V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110mΩ(typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Switching Regulators • Switching Converte 文件：116.18 Kbytes 页数：10 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 20V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110mΩ(typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Switching Regulators • Switching Converte 文件：116.18 Kbytes 页数：10 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 20V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110mΩ(typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Switching Regulators • Switching Converte 文件：116.18 Kbytes 页数：10 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 20V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110mΩ(typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Switching Regulators • Switching Converte 文件：116.18 Kbytes 页数：10 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 20V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110mΩ(typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Switching Regulators • Switching Converte 文件：116.18 Kbytes 页数：10 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 20V/20A,RDS(ON)=35mW (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45mW (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=1 10mW (typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Desktop Computer or 文件：184.67 Kbytes 页数：10 Pages | ANPEC 茂达电子 | ANPEC |
产品属性
- 产品编号：
ISL60002BIH311Z-TK
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 电压基准
- 系列：
FGA™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 参考类型：
系列
- 输出类型：
固定
- 电压 - 输出（最小值/固定）：
1.2V
- 容差：
±0.08%
- 温度系数：
20ppm/°C
- 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
30µVp-p
- 电压 - 输入：
2.7V ~ 5.5V
- 电流 - 供电：
900nA
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
IC VREF SERIES 0.08% SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOT23 |
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