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B502N	文件：1.28807 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B502N	文件：1.28804 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B502-N	文件：46.26 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
B502P	文件：1.28804 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B502P	文件：1.28807 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B502-P	文件：46.26 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
BA502	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BB502	文件：64.93 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.6dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD; BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB502	文件：65.019 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.6dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD; BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB502C	文件：64.93 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.6dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD; BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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详细参数

型号：
APL502LG
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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