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FR3518	文件：3.17623 Mbytes Page：8 Pages	THINKI30A,80VN-ChannelEnchancementModePlanarHighDensityMOSFETs Features ■RDS(on)(Max29mΩ) ■GateCharge(Typical37nC) ■Improveddv/dtCapability ■Highruggedness ■100AvalancheTested ■RohsCompliable ■HalogenFreeavailable GeneralDescription TheTO-252/TO-251pkgarewellsuitedforpowerconversion suchasDCtoDC,inverter,amplifi	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FU3518	文件：3.17623 Mbytes Page：8 Pages	THINKI30A,80VN-ChannelEnchancementModePlanarHighDensityMOSFETs Features ■RDS(on)(Max29mΩ) ■GateCharge(Typical37nC) ■Improveddv/dtCapability ■Highruggedness ■100AvalancheTested ■RohsCompliable ■HalogenFreeavailable GeneralDescription TheTO-252/TO-251pkgarewellsuitedforpowerconversion suchasDCtoDC,inverter,amplifi	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
HI3518E	文件：434.42 Kbytes Page：2 Pages	Hi3518E720pIP-CamSOC	HiSiliconHiSilicon(Shanghai) Technologies CO. 海思半海思半导体是一家半导体公司	HiSilicon
IIRFR3518	文件：335.44 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3518	文件：555.25 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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