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CS1108	文件：45.53 Kbytes Page：4 Pages	SingleLampDriverIC ThisASICprovidesupto350mAofdrivecurrentforpoweringbulbs.Thetypicalapplicationforthispartisforuseinairbagsystemsusingatype194bulb.On–chipdiagnosticsprovideopencircuitandshortcircuitdetectionintheoutputonmode.Inaddition,theoutputdriverwillturnon(si	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CS1108	文件：132.07 Kbytes Page：4 Pages	SingleLampDriverIC Description ThisASICprovidesupto350mAofdrivecurrentforpoweringbulbs.Thetypicalapplicationforthispartisforuseinairbagsystemsusingatype194bulb.On–chipdiagnosticsprovideopencircuitandshortcircuitdetectionintheoutputonmode.Inaddition,theoutputdriverwil	CHERRY Cherry Semiconductor Corporation	CHERRY
CXG1108K	文件：69.44 Kbytes Page：6 Pages	PowerAmplifierModuleforJCDMA Description TheCXG1108Kisthepoweramplifiermodulewhichoperatesatasinglepowersupply.ThisICisdesignedusingtheSony’soriginalp-GateHFETprocess. Features •Singlepowersupplyoperation: VDD1=VDD2=3.5V, VGG=2.95V(@Highmode), VGG=2.7V(@Lowmode) •Ultras	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
DMI1108	文件：197.58 Kbytes Page：4 Pages	LeadedPowerChokesDMI	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
EDE1108AASE	文件：697.83 Kbytes Page：65 Pages	1GbitsDDR2SDRAMorganizedas33,554,432wordsx8banks. Description TheEDE1104AASEisa1GbitsDDR2SDRAMorganizedas33,554,432words×4bits×8banks. TheEDE1108AASEisa1GbitsDDR2SDRAMorganizedas16,777,216words×8bits×8banks.Theyarepackagedin68-ballFBGA(µBGA)package. Features •Powersupply:VDD,VDDQ=1.8V	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
EDE1108ABSE	文件：644.84 Kbytes Page：82 Pages	1GbitsDDR2SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
EDE1108ACBG	文件：816.02 Kbytes Page：82 Pages	1GbitsDDR2SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
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EDE1108AEBG	文件：631.34 Kbytes Page：78 Pages	1GbitsDDR2SDRAM	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
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