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APT1001RBVR	文件：68.19 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RDN	文件：326.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1Ω(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1001RSLC	文件：35.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVIisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs PowerMOSVI™isanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RSVFR	文件：123.99 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSVFREDFET PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •AvalancheEner	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RSVR	文件：71.22 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RSVR	文件：76 Kbytes Page：4 Pages	100AvalancheTested PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT1001RSVRG	文件：76 Kbytes Page：4 Pages	100AvalancheTested PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ARJ-1001	文件：628.88 Kbytes Page：2 Pages	GIGABITRJ45LANMAGNETIC	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
ASH1001	文件：576.87 Kbytes Page：1 Pages	10mmwideIP67&IP68LEDlightstrip	OPTOSUPPLY OptoSupply International	OPTOSUPPLY
ASI1001	文件：18.25 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI1001isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto1500MHz. FEATURES: •PG=12dBmin.at1.0W/1,000MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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详细参数

型号：
APL1001P
制造商：
ADPOW
制造商全称：
Advanced Power Technology
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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更多APL1001P供应商更新时间2025-5-4 15:00:00

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