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APG40N10D

丝印:APG40N10D;Package:TO-252-3L;100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID =40A - RDS(ON)

文件:729.52 Kbytes 页数:7 Pages

APME

永源微电子

APG40N10D

丝印:APG40N10D;Package:TO-252-3L;100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID =40A - RDS(ON)

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永源微电子

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更多APG40N10D供应商 更新时间2026-7-28 11:06:00