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BAS101	文件：66.78 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiodes Generaldescription High-voltageswitchingdiodes,encapsulatedinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Highswitchingspeed:trr≤50ns ■Lowcapacitance:Cd≤2pF ■Lowleakagecurrent ■Reversevoltage:VR≤300V ■Repetitivepeakreversevoltage:	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS101	文件：665.19 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiodes 1.1Generaldescription High-voltageswitchingdiodes,encapsulatedinaSOT23smallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 1.2Features 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberPackageConfiguration NexperiaJEITA BAS101SOT23-single BAS101SSOT23-dualseries H	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS101S	文件：66.78 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiodes Generaldescription High-voltageswitchingdiodes,encapsulatedinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Highswitchingspeed:trr≤50ns ■Lowcapacitance:Cd≤2pF ■Lowleakagecurrent ■Reversevoltage:VR≤300V ■Repetitivepeakreversevoltage:	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS101S	文件：665.19 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiodes 1.1Generaldescription High-voltageswitchingdiodes,encapsulatedinaSOT23smallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 1.2Features 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberPackageConfiguration NexperiaJEITA BAS101SOT23-single BAS101SSOT23-dualseries H	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV101	文件：34.99 Kbytes Page：8 Pages	Generalpurposediodes DESCRIPTION TheBAV100toBAV103areswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages. FEATURES •SmallhermeticallysealedglassSMDpackage •Switchingspeed:max.50ns •Generalapplication •Continuou	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV101	文件：54.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Generalpurposes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV101	文件：58.07 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features ●Case:MiniMELF,Glass ●Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ●Polarity:CathodeBand ●Marking:CathodeBandOnly ●Weight:0.05grams(approx.) MechanicalData ●FastSwitchingSpeed ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForGeneralPur	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV101	文件：133.07 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastSwitchingSurfaceMountSi-Rectifiers SuperfastRecoverySMDRectifierDiodes Features PackagecompatibletoSOD-87 Highpowerdissipation ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Rectificationofhigherfrequencies, Highspeedswitching Commercialgrade1) MechanicalData1)	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BAV101	文件：81.75 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafastsiliconrectifierdiodes ForwardCurrent:0,2A ReverseVoltage:50to300V Features ●Max.soldertemperature:260°C ●PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ●Onegreenringdenotescathodeandultrafastswitchingdevice ●Thetypenumbersarenotedonlyonthelableonthereel	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
BAV101	文件：46.17 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES VOLTAGE120to250VoltsPOWER300mWatts FEATURES •FastswitchingSpeed. •SurfaceMountPackageIdeallySuitedForAutomaticInsertion. •SiliconEpitaxalPlanarConstruction. •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
APAMS-101
制造商：
Abracon LLC
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 天线
系列：
APAMS
包装：
散装
射频系列/标准：
手机
频率组：
UHF（300MHz ~ 1GHz），UHF（1GHz ~ 2GHz）
频率（中心/带）：
900MHz，1.8GHz
频率范围：
820MHz ~ 960MHz，1.71GHz ~ 1.99GHz
天线类型：
扁平杆
VSWR：
2
增益：
1dBi，2dBi
端接：
FME-J3
安装类型：
胶合剂
高度（最大值）：
0.276"（7.00mm）
应用：
GSM
描述：
RF ANT 900MHZ/1.8GHZ FLAT BAR

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