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AP9T15GH

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Low Gate Charge ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Single Drive Requirement ▼ RoHS Compliant

文件:107.4 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9T15GH,J_10

Low Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive

文件:103.84 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9T15GH-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:287.5 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9T15GH-HF_16

Capable of 2.5V Gate Drive

文件:63.87 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9T15GHJ-HF_14

Low Gate Charge

文件:103.96 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9T15GHSLASHJ

Low Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive

文件:103.84 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9T15GH

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

AP9T15GH,J

Low Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive

APEC

富鼎先进

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    20

  • VGS (±V):

    16

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    50

  • Ciss (pF):

    360/580

  • Qg (nC):

    5/8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
APEC/富鼎
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TO-252(H)
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更多AP9T15GH供应商 更新时间2026-1-22 9:05:00