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AP9980GM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:220.35 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9980GM-HF_14

Single Drive Requirement

文件:103.21 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9980GM-HF_16

Simple Drive Requirement

文件:56.07 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9980GM

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Dual

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    80

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    4.6

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    52

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    60

  • Ciss (pF):

    1820/2910

  • Qg (nC):

    19/30

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AP9980GM供应商 更新时间2025-10-13 16:00:00