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AP9976GM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:102.41 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9976GM_14

Lower On-resistance

文件:102.41 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9976GM-HF

Fast Switching Characteristic

文件:56.88 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9976GM

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Dual

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    60

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    7.6

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    20.5

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    38

  • Ciss (pF):

    1320/2100

  • Qg (nC):

    30/50

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更多AP9976GM供应商 更新时间2025-10-13 8:31:00