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AP9962GJ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low vo

文件:103.96 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9962GJ_14

Single Drive Requirement

文件:103.96 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9962GJ-HF

Fast Switching Characteristic

文件:107.2 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9962GJ

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    40

  • VGS (±V):

    20

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    20

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    30

  • Ciss (pF):

    1170/1870

  • Qg (nC):

    13/21

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更多AP9962GJ供应商 更新时间2025-10-14 10:42:00