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AP9960GH-HF	文件：1.15606 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.15606 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AP9960GH-HF_14	文件：102.94 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：102.94 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9960GH-HF_16	文件：98.61 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：98.61 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9960GJ	文件：75.06 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：75.06 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9960GM-HF	文件：74.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：74.78 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9960M	文件：86.28 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Low On-Resistance ▼ Fast Switching Speed ▼ Surface Mount Package 文件：86.28 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

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