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AP9479GM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:69.8 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9479GM-HF

Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge

文件:103.72 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9479GM-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:103.72 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9479GM-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件:58.37 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP9479GM

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    60

  • VGS (±V):

    25

  • IDS (A) Ta=25°C:

    5.6

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    45

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    60

  • Ciss (pF):

    960/1540

  • Qg (nC):

    11/18

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AP9479GM供应商 更新时间2025-10-14 11:26:00