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AP86T02GJB	文件：103.38 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：103.38 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP86T02GJB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	APEC 富鼎先进	APEC
AP86T02GJ-HF	文件：104.2 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：104.2 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
86T02GJ	文件：994.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：994.08 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
86T02GJ-HF	文件：994.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：994.09 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AP86T02GH	文件：263.05 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP86T02GJ) is available for low-profile applications. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistanc 文件：263.05 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

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更多AP86T02GJB供应商更新时间2026-1-28 16:00:00