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AP83T03	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Mosfets	Allpower 铨力微	Allpower
AP83T03GMT-HF	文件：63.95 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, SO-8 Compatible Description AP83T03 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on resistance and fast switching performance. It provides the designer with an extreme efficient device for use in a wide range of power applications. The PMPAK ® 文件：63.95 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP83T03AGH-HF	文件：63.02 Kbytes Page：4 Pages	Low On-resistance, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic 文件：63.02 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP83T03AGH-HF	文件：993.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：993.83 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AP83T03AGH-HF_14	文件：57.35 Kbytes Page：4 Pages	Low On-resistance 文件：57.35 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP83T03AGMT-HF_14	文件：57.77 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：57.77 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP83T03AGMT-HF_16	文件：63.69 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：63.69 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP83T03GH,J-HF	文件：104.67 Kbytes Page：4 Pages	Low On-resistance, Simple Drive Requirement 文件：104.67 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP83T03GH-HF	文件：70.91 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：70.91 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP83T03GH-HF_14	文件：104.67 Kbytes Page：4 Pages	Low On-resistance 文件：104.67 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

技术参数

Configuration：
Single
Type：
N
V DS (V)：
30
V GS (V)：
±20
ID(A)_Tc=25 ℃：
75
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
6
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=4.5V：
11

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AP83T03供应商更新时间2025-12-25 16:55:00

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