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AP80N10P	文件：892.89 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AP80N10P；Package：TO220-3L；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 100V ID =80A - RDS(ON) 文件：892.89 Kbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
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