丝印：AP7N65F-B；Package：TO-220F-3L；650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 650V ID =7A - RDS(ON)

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永源微电子

丝印：AP7N65F-C；Package：TO-220-3L；650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 650V ID =7A - RDS(ON)

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650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP7N65F采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至3.5V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 650V，ID = 3.5A \nRDS（ON）<1.15mΩ\n@ V GS =10V RDS（ON）<1.4mΩ\n@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-220F插件封装;

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丝印：AP7N65F-B；Package：TO-220-3L；650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 650V ID =7A - RDS(ON)

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