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DS7831W	文件：232.33 Kbytes Page：11 Pages	DualTRI-STATELineDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
FWS-7831	文件：298.88 Kbytes Page：2 Pages	1URackmountIntel®8thGenerationPlatformNetworkAppliance Features ■SingleIntel®8thGenerationCore™/Xeon™processor ■Intel®CoffeeLake2/6Core(H310/C246) ■DDR4SODIMM/ECCx2,upto64GB ■TPMSupported(OptionalRequest) ■LCMwithKeypadx1 ■RJ-45Consolex1,USB3.2Gen1x2,HDMIx1 ■220WATXPSU ■Intel®i211GigabitEthernetx8	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
IRF7831	文件：171.61 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications •HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverterforApplicationsinNetworking&ComputingSystems. Benefits •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •Ultra-LowGateImpedance •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRF7831PBF	文件：264.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=30V,RDS(on)max=3.6m廓@VGS=10V,Qg(typ.)=40nC) Applications •HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverterforApplicationsinNetworking&ComputingSystems. Benefits •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •Ultra-LowGateImpedance •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •100TestedforRG •Lead-Fr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7831PBF	文件：270.16 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-LowGateImpedance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7831PBF	文件：275.62 Kbytes Page：10 Pages	HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverter Applications •HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverterforApplicationsinNetworking&ComputingSystems. Benefits •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •Ultra-LowGateImpedance •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •100TestedforRG •Lead-Fr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7831TRPBF	文件：275.62 Kbytes Page：10 Pages	HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverter Applications •HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverterforApplicationsinNetworking&ComputingSystems. Benefits •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •Ultra-LowGateImpedance •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •100TestedforRG •Lead-Fr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7831TRPBF	文件：1.03816 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7831UPBF	文件：250.74 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications •HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverterforApplicationsinNetworking&ComputingSystems. Benefits •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •Ultra-LowGateImpedance •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •100TestedforRG •Lead-Fr	IRF International Rectifier	IRF
ISO7831	文件：1.4281 Mbytes Page：37 Pages	High-Performance,8000-VPKReinforcedTripleDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
AP7831
功能描述：
电源排插 Rack PDU Metered ZeroU 15A
RoHS：
否
制造商：
Wiremold
数据线路保护：
N
电线长度：
15 ft
输出电压：
120 V
电流额定值：
15 A

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