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AP6680AGM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:202.16 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP6680AGM-HF_14

Low On-Resistance

文件:99.63 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP6680AGM-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件:102.9 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP6680AGM

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    12

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    11

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    16.5

  • Ciss (pF):

    790/1600

  • Qg (nC):

    11/18

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更多AP6680AGM供应商 更新时间2025-10-8 8:31:00