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AP6679BGP-HF	文件：101.38 Kbytes Page：4 Pages	Low On-resistance, Simple Drive Requirement 文件：101.38 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679BGP-HF_14	文件：101.38 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：101.38 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679BGP-HF_16	文件：67.17 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：67.17 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679BMT	文件：110.94 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：110.94 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GH	文件：217.14 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679GJ) is available for low-profile applications. ▼ Lower On-resistance ▼ Simple Driv 文件：217.14 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP6679GH	文件：1.023 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.023 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

更多AP6679BGP-HF供应商更新时间2025-10-5 14:14:00