60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP50N06NF采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 60V，ID = 50A \nRDS（ON）<15mΩ\n@ V GS =10V RDS（ON）<18mΩ\n@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nDFN5*6表贴封装;

APM

永源微

50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

文件：1.45994 Mbytes 页数：6 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：808.18 Kbytes 页数：10 Pages

WXDH

东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：808.72 Kbytes 页数：10 Pages

WXDH

东海半导体