60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP50N06D采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 60V，ID = 50A \nRDS（ON）<15mΩ\n@ V GS =10V RDS（ON）<18mΩ\n@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-252表贴封装;

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