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APL501P	文件：112.75 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® HERMETICPACKAGE N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
AR501	文件：132.81 Kbytes Page：4 Pages	50AAutomotiveRectifiers	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
AR501	文件：249.89 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
AR501	文件：231.34 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE FEATURES .Highsurgecapability .Highcurrentcapability .Lowleakage Hightemperaturesolderingguaranteed：250℃for10 seconds	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
ARS501	文件：134.68 Kbytes Page：4 Pages	50AAutomotiveRectifiers Features •Lowleakage •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highforwardsurgecurrentcapacity •RoHSCompliance	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
ARS501	文件：231.34 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE FEATURES .Highsurgecapability .Highcurrentcapability .Lowleakage Hightemperaturesolderingguaranteed：250℃for10 seconds	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
AS501X	文件：103.56 Kbytes Page：2 Pages	AxialMagnetMA2H-1	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
ASD501V	文件：76.34 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemountsmallsignaltype Surfacemountsmallsignaltype •Extermelythinpackage •Lowstoredcharge •Majoritycarrierconduction	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
ASD501V	文件：118.71 Kbytes Page：2 Pages	100mAAdvancedSchottkyBarrierDiode(Surfacemountsmallsignaltype) FEATURES ●EXTREMELYLOWVF ●EXTREMELYTHINPACKAGE ●LOWSTOREDCHARGE ●MAJORITYCARRIERCONDUCTION	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
ASD501V-N	文件：77.93 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedSchottkyBarrierDiodes-Surfacemountsmallsignaltype Surfacemountsmallsignaltype Features •ExtermelylowVF •Extermelythinpackage •Lowstoredcharge •Majoritycarrierconduction	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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详细参数

型号：
AP501
功能描述：
射频放大器 1930-1990MHz 32.5dB Gain
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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