650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP4N65P采用先进的沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至3.5V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 650V，ID = 3A \nRDS（ON）<2.7mΩ\n@ V GS =10V RDS（ON）<3.2mΩ\n@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-220插件封装\n;

APM

永源微

N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package

文件：444.24 Kbytes 页数：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.43961 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特