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AP4N60D

N-Channel Mosfet

AP4N60D采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极电压低至3.5V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 VDS = 600V,ID = 3A \nRDS(ON)<2.4mΩ\n@ V GS =10V RDS(ON)<2.8mΩ\n@ V GS = 4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-252表贴封装\n;

APM

永源微

B4N60D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.92839 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

BLV4N60

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:495.83 Kbytes 页数:6 Pages

Belling

上海贝岭

BLV4N60

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:385.18 Kbytes 页数:6 Pages

ESTEK

伊泰克电子

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
22+
TO-252-3L
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AP
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更多AP4N60D供应商 更新时间2025-12-25 17:52:00