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AP4957AGM

Low On-Resistance, Simple Drive Requirement

Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼Low On-Resistance ▼Simple Drive Requirement ▼Dual P MOSFET Package

文件:184.4 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4957AGM-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:100.68 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4957AGM-HF_16

Simple Drive Requirement

文件:55.92 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4957AGM

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Dual

  • Type:

    P

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    -7.4

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    26

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    36

  • Ciss (pF):

    1215/1950

  • Qg (nC):

    16/26

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更多AP4957AGM供应商 更新时间2025-11-30 16:00:00