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AP4800GEM

Fast Switching Characteristic

文件:110.87 Kbytes 页数:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4800GEM

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

AP4800GM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:80.73 Kbytes 页数:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4800GYT-HF

Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile

文件:106.77 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4800M

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:80.37 Kbytes 页数:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single (with ESD Diode)

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    9.2

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    18

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    30

  • Ciss (pF):

    800/1280

  • Qg (nC):

    7/11.2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
APEC
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更多AP4800GEM供应商 更新时间2025-10-7 16:00:00