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AP4606B(P)	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER MOSFETS	Allpower 铨力微	Allpower
AP4606P	文件：108.36 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：108.36 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
CLA4606	文件：402.69 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Limiter Diodes and Ceramic Hermetic Packaged Devices Features  Established limiter diode process  High power, mid-range, and cleanup designs  Low insertion loss: 0.1 dB @ 10 GHz  Peak power handling to +74 dBm  Ultra low spike leakage power  Tight control of I layer base width 文件：402.69 Kbytes 页数：9 Pages	SKYWORKS 思佳讯	SKYWORKS
CTNS-4606S	文件：438.12 Kbytes Page：7 Pages	Fast Recovery and High Power Diode 文件：438.12 Kbytes 页数：7 Pages	Sanken 三垦	Sanken

技术参数

Configuration：
Dual
ESD：
N
VDS(min)：
-30
Id at 25℃(max)：
5.1
Vgs(th) typ(V)：
±20
Rds(on) (typ)(@10V)：
38
Rds(on) (typ)(@4.5V)：
53

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AP4606B(P)供应商更新时间2025-11-4 15:01:00

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