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AP4511GM	文件：96.82 Kbytes Page：7 Pages	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SO-8 package is universally preferred for all commercial industrial surface mount applications and suited fo 文件：96.82 Kbytes 页数：7 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4511GM-HF	文件：90.77 Kbytes Page：7 Pages	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low 文件：90.77 Kbytes 页数：7 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4511GM-HF_14	文件：90.77 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirement 文件：90.77 Kbytes 页数：7 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4511GM-HF_16	文件：88.4 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirement 文件：88.4 Kbytes 页数：8 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4511GM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	APEC 富鼎先进电子	APEC
AP4511GM-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description\nAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.\nThe SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltag	APEC 富鼎先进电子	APEC

技术参数

Configuration：
Complementary
Type：
N
VDS (V)：
35
VGS (±V)：
20
IDS (A) Ta=25°C：
7
RDS(ON) (mΩ max)/10V：
25
RDS(ON) (mΩ max)/4.5V：
37
Ciss (pF)：
830/1330
Qg (nC)：
11/18

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更多AP4511GM供应商更新时间2025-10-13 16:00:00

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