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AP4506GEM

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:123.98 Kbytes 页数:7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEM-HF

Simple Drive Requirement, Low On-resistance

文件:123.45 Kbytes 页数:7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEM-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:123.45 Kbytes 页数:7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEM-HF_16

Simple Drive Requirement

文件:84.64 Kbytes 页数:8 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEM

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

技术参数

  • Configuration:

    Complementary (with ESD Diode)

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    6.4

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    30

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    36

  • Ciss (pF):

    575/920

  • Qg (nC):

    8.3/13

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更多AP4506GEM供应商 更新时间2025-12-16 16:29:00