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AP4506GEH

Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance

文件:124.77 Kbytes 页数:7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEH_14

Simple Drive Requirement

文件:124.77 Kbytes 页数:7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEH-HF

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:116.47 Kbytes 页数:7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEH-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:116.47 Kbytes 页数:7 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEH-HF_16

Fast Switching Performance

文件:87.05 Kbytes 页数:8 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4506GEH

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

技术参数

  • Configuration:

    Complementary Common-Drain (with ESD Diode)

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    9

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    24

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    32

  • Ciss (pF):

    575/920

  • Qg (nC):

    8.3/13

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
APEC
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TO-252-5
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APEC
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更多AP4506GEH供应商 更新时间2025-12-24 9:42:00