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AP4503BGM-HF	文件：124.46 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge 文件：124.46 Kbytes 页数：7 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4503BGM-HF_14	文件：124.46 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirement 文件：124.46 Kbytes 页数：7 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4503BGM-HF_16	文件：123.69 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirement 文件：123.69 Kbytes 页数：8 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4503BGO-HF	文件：151.73 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge 文件：151.73 Kbytes 页数：7 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4503GM	文件：87.27 Kbytes Page：7 Pages	N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low vol 文件：87.27 Kbytes 页数：7 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4503GM	文件：1.23218 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.23218 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

更多AP4503BGM-HF供应商更新时间2025-12-23 9:01:00