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AP4232GM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:72.14 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4232GM-HF

Low On-Resistance, Simple Drive Requirement

文件:213.09 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4232GM-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:93.92 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4232GM

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Dual

  • Type:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (±V):

    20

  • IDS (A) Ta=25°C:

    7.8

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    22

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    32

  • Ciss (pF):

    720/1150

  • Qg (nC):

    13/21

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AP4232GM供应商 更新时间2025-10-7 8:31:00